“新型GaN基LED荧光衬底—掺质铝酸盐晶体生长与性能研究”项目通过验收

　　10月27日，中科院上海光学精密机械研究所夏长泰研究员承担的上海市科委半导体照明专项“新型GaN基LED荧光衬底—掺质铝酸盐晶体生长与性能研究”通过验收。该项目通过优化生长工艺，制备出了离子或过渡金属离子掺杂的MgAl₆O₁₀、ScAlMgO₄单晶，在新型荧光衬底发光结构的白光LED制备上形成一条新的技术路线。
通过实验，V掺质的MgAl₆O₁₀晶体在紫外光激发下可直接得到白光输出，证明它是一种潜在的白光LED荧光衬底材料。在国际上首次在MgAl₂O₄：Mn²⁺、Cr³⁺中观察到了Mn²⁺和Cr³⁺两种发光中心之间的能量传递，提出了MgAl₂O₄：Mn²⁺、Cr³⁺单晶可用作GaN基白光LED的荧光衬底。
实验也发现，MgAl₆O₁₀：Mn²⁺、Cr³⁺单晶也可用作GaN基白光LED的荧光衬底，并系统研究不同掺杂浓度对MgAl₆O₁₀、ScAlMgO₄荧光衬底的物化性能和发光特性的影响。
该项目还成功地将新型荧光衬底与蓝光LED配合获得了白光输出。宽禁带半导体发光二级管（LED），是固体照明的新型光源，具有广泛的应用价值。